模擬及混合信號(hào)ATE
T86X系列模擬及混合信號(hào)測(cè)試機(jī)，適用于高精度運(yùn)放，電源管理，LED照明，DC-DC，PMU，音頻等等芯片量產(chǎn)測(cè)試
柵極電阻，電容測(cè)試設(shè)備
T342系列是Mosfet，IGBT等半導(dǎo)體器件進(jìn)行柵極電阻(Rg)，電容(Ciss/Crss/Coss)的測(cè)試設(shè)備，具備掃描曲線功能，可與probe，handler聯(lián)機(jī)進(jìn)行CP/FT量產(chǎn)測(cè)試，也可在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行驗(yàn)證分析測(cè)試。
電感負(fù)載(UIL/EAS)測(cè)試設(shè)備
T33X系列為電感負(fù)載測(cè)試系統(tǒng)，也稱為雪崩能量測(cè)試系統(tǒng)，主要用于測(cè)試Mosfet，IGBT，Diode等半導(dǎo)體器件的雪崩擊穿特性，通過給被測(cè)器件施加可控制的感性能量，測(cè)試器件是否能夠正常吸收和承受電感釋放的能量，經(jīng)過測(cè)試的器件，可以安全使用于感性負(fù)載上，大大提高器件質(zhì)量。本設(shè)備具有雪崩能量曲線功能，即可用于量產(chǎn)測(cè)試，也可以用于實(shí)驗(yàn)室分析測(cè)試。
微小電容測(cè)試系統(tǒng)
T12X系列為測(cè)試TVS二極管，MEMS傳感器，高速光電開關(guān)等半導(dǎo)體器件的寄生電容和DC參數(shù)，可以精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試到極其微小的非法級(jí)電容，可以聯(lián)機(jī)handler進(jìn)行大批量生產(chǎn)測(cè)試。